III.1 Polarisation de la jonction

Considérons une diode polarisée par une tension V V .

Pour déterminer l'état de polarisation, il faut savoir si la tension appliquée va s'ajouter ou se retrancher à la hauteur de la barrière de potentiel.

Nous allons donc représenter ci-dessous le schéma de bandes d'une diode et superposer à celui ci la tension de polarisation résultant de la source externe.

Courbes du haut : polarisation en direct; cela correspond à une diminution de la hauteur de la barrière. La nouvelle barrière vaut : Φ = Φ NP V %iPHI = %iPHI_{NP}- V .

Courbes du bas : polarisation en inverse; cela correspond à une augmentation de la hauteur de la barrière. La nouvelle barrière vaut: Φ = Φ NP + V %iPHI = %iPHI_{NP}+ V .

AttentionDiode en direct

On diminue la hauteur de barrière: cela favorise la diffusion des porteurs majoritaires: les électrons de la zone N vont vers la zone P et les trous de la zone P vont vers la zone N.

AttentionDiode en inverse

On augmente la hauteur de barrière: on favorise cette fois le phénomène de conduction: la diffusion des majoritaires est bloquée. Seule les porteurs minoritaires qui atteignent la zce peuvent traverser sous l'action du champ électrique.

Remarque

En raison des différences de densité de population : I inverse I direct I_{ "inverse" } ll I_{ "direct" } .

Pour calculer le courant qui traverse la jonction, on se place dans l'hypothèse de la faible injection : dans chacune des régions, les porteurs en excès sont en nombre important devant les minoritaires mais négligeables devant les majoritaires et ce, quel que soit V V .

La polarisation de la jonction modifie la hauteur de barrière donc la largeur de la zce qui devient:

Fondamental

δ = 2 ϵ q N * ( Φ NP V ) %delta = sqrt{ { 2 %epsilon} over {q N^"*" } ( %iPHI_{NP} -V ) }

Avec

  • V > 0 V > 0 si la diode est polarisée en direct

  • V < 0 V < 0 si la diode est polarisée en inverse.

Remarque

La diode est un composant non linéaire.