I.1 Principe de fonctionnement

Rappel

Lorsqu'une jonction PN est polarisée en direct, les électrons majoritaires de la régions N sont injectés dans la région P où ils diffusent et inversement pour les trous. S'ils n'ont pas réussi à traversé la région P assez rapidement, ils se recombinent. Une DEL[1] est une jonction PN dans laquelle les recombinaisons des porteurs excédentaires sont essentiellement radiatives.

Définition

Une DEL[1] est une jonction PN dans laquelle les recombinaisons des porteurs excédentaires sont essentiellement radiatives.

La tension de polarisation V V   fixe la séparation des niveaux de Fermi.

Les recombinaisons ont lieu dans la zce[2] et dans les régions neutres N et P. Dans chacune de ces dernières, la zone émettrice est limitée à la longueur de diffusion des minoritaires. La zce[2] joue un rôle mineur dans la mesure où elle est inexistante lorsque la jonction est polarisée en direct. On a :

I n = q A J n i 2 [ D N N A L n th ( W P L n ) ] [ exp ( V U T ) 1 ] , I p = q A J n i 2 [ D P N D L p th ( W N L p ) ] [ exp ( V U T ) 1 ] . I_n = q A_J n_i^2 left[ D_N over { N_A L_n "th"left( W_P over L_n right)} right] ` left[ exp left( V over U_T right) -1 right ], ~ I_p = q A_J n_i^2 left[ D_P over { N_D L_p "th"left( W_N over L_p right)} right] ` left[ exp left( V over U_T right) -1 right ].

Si les régions sont grandes devant les longueurs de diffusion, alors th 1 "th" toward 1 donc :

I n = q A J n i 2 [ D N N A L n ] [ exp ( V U T ) 1 ] , I p = q A J n i 2 [ D P N D L p ] [ exp ( V U T ) 1 ] . I_n = q A_J n_i^2 left[ D_N over { N_A L_n } right] ` left[ exp left( V over U_T right) -1 right ], ~ I_p = q A_J n_i^2 left[ D_P over { N_D L_p } right] ` left[ exp left( V over U_T right) -1 right ].

Le rendement d'injection est donné par :

γ = I n I p = D N N D L p D P N A L n = μ n τ p μ p τ n N D N A γ = μ n N D μ p N A %gamma = I_n over I_p = { D_N N_D L_p } over { D_P N_A L_n } = sqrt{ { %mu_n %tau_p} over { %mu_p %tau_n} } sqrt{ N_D over N_A } `drarrow` %gamma = sqrt{ {%mu_n N_D} over {%mu_p N_A }}

Fondamental

À dopage équivalent, les électrons étant plus mobiles que les trous, le taux d'injection d'électrons dans la région P est plus important que le taux d'injection de trous dans la région N. Donc la région P est la plus radiative. C'est pour cela que la face émettrice d'une DEL[1] est toujours de type P.

Il faut préciser aussi que pour des raisons d'efficacité d'émission, les régions N et P d'une DEL[1] sont très dopées.