La Physique des Semiconducteurs

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III. Le Matériau semi-conducteur Extrinsèque

  • III.1 Niveaux d'énergie introduits par les impuretés et les imperfections du cristal
  • III.2 Les impuretés de bord de bande. Notions de donneurs et accepteurs
  • III.3 Le dopage dans les SC – Déplacement du niveau de Fermi
  • III.4 Détermination de la loi de variation de la densité des porteurs en fonction de la température
  • III.5 Loi d'action de masse

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  • Objectifs
  • Constantes usuelles
  • Chapitre 1 Le cristal de Silicium
  • Chapitre 2 Le semiconducteur à l'équilibre thermodynamique
    • Introduction
    • I. La structure d'un semiconducteur
    • II. Peuplement des niveaux d'énergie du SC intrinsèque
    • III. Le Matériau semi-conducteur Extrinsèque
      • III.1 Niveaux d'énergie introduits par les impuretés et les imperfections du cristal
      • III.2 Les impuretés de bord de bande. Notions de donneurs et accepteurs
      • III.3 Le dopage dans les SC – Déplacement du niveau de Fermi
      • III.4 Détermination de la loi de variation de la densité des porteurs en fonction de la température
      • III.5 Loi d'action de masse
  • Chapitre 3 Le semiconducteur hors équilibre thermodynamique

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Hélène TAP, Éd. Ress. Pédago. Ouv. INP, 0922 (2020) 20h Réalisé avec Scenari (nouvelle fenêtre)