La Physique des Semiconducteurs
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III. Le Matériau semi-conducteur Extrinsèque
III.1 Niveaux d'énergie introduits par les impuretés et les imperfections du cristal
III.2 Les impuretés de bord de bande. Notions de donneurs et accepteurs
III.3 Le dopage dans les SC – Déplacement du niveau de Fermi
III.4 Détermination de la loi de variation de la densité des porteurs en fonction de la température
III.5 Loi d'action de masse
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Objectifs
Constantes usuelles
Chapitre 1 Le cristal de Silicium
Chapitre 2 Le semiconducteur à l'équilibre thermodynamique
Introduction
I. La structure d'un semiconducteur
II. Peuplement des niveaux d'énergie du SC intrinsèque
III. Le Matériau semi-conducteur Extrinsèque
III.1 Niveaux d'énergie introduits par les impuretés et les imperfections du cristal
III.2 Les impuretés de bord de bande. Notions de donneurs et accepteurs
III.3 Le dopage dans les SC – Déplacement du niveau de Fermi
III.4 Détermination de la loi de variation de la densité des porteurs en fonction de la température
III.5 Loi d'action de masse
Chapitre 3 Le semiconducteur hors équilibre thermodynamique
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