IV.2 Modèle dynamique petit signal de la jonction PN

a) En polarisation directe

Fondamental

On voit sur la figure que la diode est équivalente à une résistance de valeur r d r_d appelée résistance dynamique.

Pour la déterminer, on dérive l'équation d'état de la diode autour du point de fonctionnement :

r d = ( dV dI ) I 0 r_d = left ( {dV} over { dI } right)_{ I_0 } .

Et on trouve, pour une diode franchement polarisée en direct :

Définition

r d = U T I 0 r_d = { U_T over I_0 }

Remarque

Ce modèle est valable à basse fréquence.

À haute fréquence, il faut prendre en compte les effets capacitifs dus aux porteurs minoritaires stockés dans les zones neutres :

On a vu que le courant qui circule dans une diode en direct est dû à la présence de porteurs minoritaires en excès qui diffusent

Si on intègre ces porteurs dans toute la zone neutre, on peut évaluer la charge correspondante Q ZNN Q_{ ZNN } dans la zone neutre N :

Q ZNN = q A j ZNN p ^ dx = q A j p ^ 0 sh ( W N L p ) ZNN sh ( W N x L p ) dx Q_{ ZNN } = q A_j int_{ZNN} hat p dx = q A_j {hat p}_0 over { "sh" left( W_N over L_p right)} int_{ZNN} "sh" left( {W_N-x} over L_p right) dx

Considérons une jonction de type P+N. On a alors Q Q ZNN Q approx Q_{ ZNN } . De plus si la ZNN est courte alors :

Q ZNN = q A j p ^ 0 W N ZNN ( W N x ) dx = q A j p ^ 0 W N [ W N x x 2 2 ] 0 W N = q A j p ^ 0 W N 2 = q A j W N 2 p ¯ [ exp ( V U T ) 1 ] Q_{ ZNN } = q A_j { hat p}_0 over W_N int_{ZNN} (W_N - x) dx = q A_j { hat p}_0 over W_N left[ W_N x - {x^2 over 2} right]_0^{ W_N } newline ~ = q A_j { { hat p}_0 W_N} over 2 = q A_j W_N over 2 bar p left [ exp left ( V over U_T right) -1 right ]

On a Q = I W N 2 2 D p Q = { I W_N^2 } over {2 D_p} et C d = dQ dV = I s W N 2 2 D p d dV [ exp ( V U T ) ] = I s W N 2 2 D p exp ( V U T ) C_d = { dQ } over { dV } = { I_s W_N^2 } over { 2 D_p } d over {dV }left[ exp left(V over U_T right) right ] = { I_s W_N^2 } over { 2 D_p } exp left(V over U_T right) .

On en déduit :

Définition

C d = I W N 2 2 D P U T C_d = { I W_N^2 } over { 2 D_P U_T } .

b) En polarisation inverse

  • Résistance dynamique tend vers l'infini

  • Pas de capacité de stockage dans les zones neutres car le courant est très faible.

  • Apparition d'une capacité C T C_T due à la largeur importante de la zce[1] en polarisation inverse

Définition

C T = ϵ A j δ = q N * ϵ 2 ( ϕ NP V ) A j C_T = { %epsilon A_j }over %delta = sqrt{ {q N^{"*"} %epsilon } over {2 (%phi_{NP} - V) }} ` A_j

La zce[1] équivaut à un diélectrique (pas de porteurs de charges à l'intérieur) de constante diélectrique ϵ %epsilon .

FondamentalConclusion 

Le modèle de la diode en régime dynamique dépend de sa polarisation :

Ainsi, une diode polarisée en direct induit une constante de temps τ %tau telle que :

τ = C d r d = I W N 2 2 D P U T U T I τ = W N 2 2 D P %tau = C_d r_d = { I W_N^2 } over { 2 D_P U_T } U_T over I ~drarrow ` %tau = W_N^2 over { 2 D_P }