IV.1 Détermination du point de polarisation (ou point de fonctionnement) de la jonction

Résolution d'1 système à 2 équations, 2 inconnues :

{ I = I s [ exp ( V U T ) 1 ] E = R I + V { E = 3 V R = 100 Ω I s = 10 12 A left lbrace matrix{ I #""=""# I_s left[ exp left(V over U_T right) -1 right ] ## E #""=""# R I + V } right none ~ left lbrace matrix{ E #""=""# 3 "V" ## R #""=""# 100 %OMEGA ## I_s #""=""# 10^{-12} "A" } right none

3 solutions de résolution :

Méthode1- méthode approchée (la plus utilisée en circuit (notamment quand on ne connait pas Is)

On approxime la tension aux bornes de la diode à une tension  V T V_T appelée tension de seuil.

On considère que :

  • si V < V T V< V_T , diode bloquée, I = 0 I=0 .

  • si la diode est passante, V = V T V=V_T quel que soit I I .

Donc I = E V T R I = { E - V_T } over R pour une diode au silicium.

Méthode2- méthode analytique par approximations successives

Elle est plus précise que la précédente mais nécessite de connaitre le courant de saturation de la diode.

Je considère que V 0,6 V V approx 0,6 "V" .

Donc I = ( E V ) / R = ( 3 0,6 ) / 100 = 24 mA I = ( E-V )/R = (3-0,6)/100 = 24 "mA" .

Donc V = U T Ln ( I / I s + 1 ) = 0,026 Ln ( 0,024 / 10 12 + 1 ) = 0,621 V V = U_T "Ln" ( I/I_s +1 )= 0,026 `"Ln"( 0,024 / 10^{-12} + 1 )= 0,621 "V" .

Donc I = ( E V ) / R = ( 3 0,621 ) / 100 = 23,8 mA I = ( E-V )/R = (3-0,621)/100 = 23,8 "mA" .

Donc V = U T Ln ( I / I s + 1 ) = 0,026 Ln ( 0,0238 / 10 12 + 1 ) = 0,621 V V = U_T "Ln" ( I/I_s +1 )= 0,026 `"Ln"( 0,0238 / 10^{-12} + 1 )= 0,621 "V" .

J'ai convergé. On a I = 23,8 mA I = 23,8 "mA" et V = 0,621 V V = 0,621 "V" .

Méthode3- méthode graphique

Je trace les 2 équations du sytème à résoudre et, à leur intersection, se trouve le point de fonctionnement: