II.1 Constitution – principe de fonctionnement
Définition :
Il s'agit d'une jonction PN polarisée en inverse. A la jonction, on a une zone intrinsèque I réalisée par dopage par compensation afin de maximiser la zce[1] dans laquelle vont être collectés les porteurs photogénérés. Le courant photoélectrique issu de la photodiode est donné par:
où est la sensibilité spectrale de l'APD et est la puissance optique incidente.
Remarque :
Une partie de la puissance optique incidente est perdue par réflexion à la surface du semiconducteur. On appelle la puissance optique qui pénètre dans le SC :
avec
et l'indice de réfraction du semi-conducteur ( pour le silicium)
Lorsqu'un photon rencontre un électron de Valence, il lui fournit de l'énergie qui l'envoie en bande de conduction, générant une paire électron-trou.
Ainsi, le flux de photons décroit exponentiellement au fur et à mesure que l'on pénètre dans le semiconducteur :
α est le coefficient d'absorption de la lumière. Il dépend de la longueur d'onde, de la température et bien sûr du SC. On trouve sa valeur dans le graphe ci-dessous :

Ce phénomène d'absorption est représenté sur la figure suivante où x représente la direction perpendiculaire à la surface éclairée.

La génération de paires électrons-trous est donc directement proportionelle à la disparition des photons, ce qui se traduit par :
Les zones frontales étant en général très dopées, nous admettrons qu'elles peuvent être considérées comme zone morte. En effet, le courant qui y est photogénéré est un courant de diffusion quasi nul étant donné qu'à forts dopages, les durées de vie et les longueurs de diffusion y sont extrêmement faibles
On calcule donc le courant engendré par les photons dans générant des paires électrons-trous dans la zce[1] :
donc ,
avec la largeur de la zone d'émetteur ou zone frontale, le rendement quantique interne, le coefficient d'absorption du semi-conducteur qui varie en fonction de la longueur d'onde et la surface photosensible.
Attention :
On remarque dans la formule précédente que pour maximiser le courant photoélectrique et donc la sensibilité de la photodiode, il faut que:
la largeur de la zone frontale ou zone émetteur soit faible,
la largeur de la zce soit importante.
Remarque :
Il faut impérativement qu'il n'y ait plus de photons à la fin de la zce[1] sinon, les paires électrons-trous qui seraient photogénérées dans la zone arrière, donneraient lieu à un courant de diffusion. Ce phénomène est à éviter absolument car il est lent. En effet le temps de réponse de la photodiode devient alors égal à la durée de vie des porteurs minoritaires dans la zone arrière.
En pratique, il faut que: