La jonction PN et ses applications

Masse atomique du silicium

28,08 g.mol^-1

Paramètre cristallin du silicium

5,43 10^-8 cm

Constante diélectrique du silicium

1 pF.cm^-1

Vitesse de la lumière dans le vide = c

3. 10¹⁰ cm.s^-1

Densité du silicium

5.10²² cm^-3

Masse volumique du silicium

2,33 g.cm^-3

Constante de Planck = h

6,62.10^-34 m².kg.s^-1 = 4,14.10^-15 eV.s

Largeur du bandgap = E_g

• 0,67 eV pour le Germanium (Ge)

• 1,12 eV pour le Silicium (Si)

• 1,40 eV pour l'Arséniure de Gallium (As Ga)

• 6,00 eV pour le Diamant (C)

Constante de Boltzmann = k

8,619 10^–5 eV/K

Masse effective de l'électron = m_C

0,62 m₀ avec m₀ = 9,1 10^–28 g

Masse effective du trou = m_V

1,05 m₀ avec m₀ = 9,1 10^–28 g

N = densité d'états dans les bandes permises ≈ N_C ≈ N_V

≈ 2,7 10¹⁹(T/300) ^3/2) cm^–3 soit 2,7 10¹⁹ cm^–3 à 300 K

Densité intrinsèque = n_i

• 2,5 10¹³ cm^–3 pour le Germanium (Ge)

• 1,6 10¹⁰ cm^-3 pour le Silicium (Si)

• 1,1 10⁷ cm^-3 Arséniure de Gallium (As Ga)

Vitesse thermique des porteurs dans le silicium = v_th

10⁷ cm.s^-1

Charge de l'électron = q

1,6.10^-19 C

Tension thermodynamique = U_T

26 mV à 300 K

Durée de vie des porteurs dans le silicium = τ

1µs pour un dopage de 10¹⁶cm^-3