Les cellules photovoltaïques

Là encore il s'agit d'une jonction PN.

La cellule photovoltaïque est caractérisée par son courant électromoteur et sa force électromotrice.

Définition

Le courant électromoteur est le courant de court-circuit I CC I_{ CC } .

La force électromotrice est la tension de circuit ouvert V CO V_{ CO } .

Ils sont donnés par :

I CC = I ph et V CO = k T q Ln ( I ph I s + 1 ) I_{ CC }= I_{ ph } `"et"` V_{ CO }= { k T }over q "Ln" left( I_{ph} over I_s +1 right )

DéfinitionPuissance débitée

La puissance fournie par la photopile est donnée par le produit V I V I  :

P = V I = V { I ph I s [ exp ( q V kT ) 1 ] } P = V I = V left lbrace I_{ph} - I_s left[ exp left( {q V } over { kT} right) -1 right ] right rbrace

Cette puissance est maximale au point P m P_m défini par dP / dV = 0 dP/dV =0 , soit :

I ph I s [ exp ( q V kT ) 1 ] I s q V kT exp ( q V kT ) = 0. I_{ ph } - I_s left[ exp left( {q V } over { kT} right) -1 right ] - I_s {q V } over { kT}exp left( {q V } over { kT} right)=0.

La tension V m V_m et le courant I m I_m au point P m P_m sont donnés par : ( 1 + q V m kT ) exp ( q V m kT ) = 1 + I ph I s left( 1 + {q V_m } over { kT} right) exp left( {q V_m } over { kT} right) = 1 + I_{ ph } over I_s .

I m = I s q V m kT exp ( q V m kT ) I_m = I_s {q V_m } over { kT} exp left( {q V_m } over { kT} right)

La puissance débitée est alors donnée par le produit V m I m V_m I_m (zone hachurée) qui s'écrit :

Définition

P m = V m I m = FF V CO I CC P_m = V_m I_m = FF `V_{ CO } I_{ CC}

Cette valeur est de l'ordre de 80% du produit V CO I CC V_{ CO } I_{ CC } .

Le paramètre FF FF est le facteur de remplissage ou facteur de forme. Il évalue le caractère rectangulaire de la courbe I ( V ) I( V ) . Il varie de 0.25 pour une cellule à faible rendement à 0.9 pour une cellule idéale.

Il varie de 0.25 pour une cellule à faible rendement à 0.9 pour une cellule idéale.

DéfinitionRendement

Le rendement d'une photopile est donné par le rapport entre la puissance maximum débitée et la puissance du rayonnement incident.

η = V m I m P solaire = FF V CO I CC P solaire %eta = { V_m I_m } over P_{ solaire } = { FF V_{CO} I_{CC} } over P_{ solaire }

Remarque

L'expression montre que les performances d'une photopile ne dépendent que des valeurs des trois paramètres.

Ces paramètres sont fonction d'une part de propriétés spécifiques du matériau et d'autre part de paramètres technologiques.

Propriétés spécifiques : le gap, les coefficients d'absorption et de réflexion, la longueur de diffusion des porteurs, la vitesse de recombinaison en surface.

Paramètres technologiques : la profondeur de la jonction, la largeur de la zone de charge d'espace, la présence de résistances parasites.

AttentionModèle équivalent

R s R_s et R sh R_{sh} représentent les pertes internes :

  • R s R_s = résistance série de la diode.

  • R sh R_{sh} représente le courant de fuite à la jonction : R sh = V + R s I I ph I s { exp [ q ( V + R s I ) kT ] 1 } I R_{ sh }= {V+ R_s I} over { I_{ph} - I_s left lbrace exp left[ {q (V+ R_s I) } over { kT} right ]-1 right rbrace – I}

Définition

Le courant peut s'exprimer sous la forme :

I = I ph I s { exp [ q ( V + R s I ) kT ] 1 } V + R s I R sh I = I_{ ph }- I_s left lbrace exp left[ {q (V+ R_s I) } over { kT} right ] -1 right rbrace- { V + R_s I } over R_{ sh } .

Remarque

On ne peut pas la calculer mais simplement la mesurer. Elle est déterminée au point (0, I CC I_{ CC } ).

Les formulations du paramètre FF FF sont données ci-dessous :

  • Cas idéal : FF 0 = v oc Ln ( v oc + 0,72 ) v oc + 1 FF_0 = { v_{oc} - "Ln" (v_{oc} + 0,72)} over { v_{oc} +1 } avec v oc = V OC n U T et τ s = R s V OC / J ph v_{ oc }= V_{OC} over { n U_T } `"et"` %tau_s = R_s over { V_{OC} / J_{ph} } .

  • Avec R s R_s et sans R sh R_{sh}  : FF s = FF 0 ( 1 1,1 R s ) + R s 2 5,4 FF_s = FF_0 (1 - 1,1 R_s) + R_s^2 over 5,4

  • Avec R s R_s et   R sh R_{sh}  : FF = FF s ( 1 v oc + 0,7 v oc FF S R sh ) FF = FF_s left( 1 - {v_{oc} + 0,7} over v_{oc} FF_S over R_{sh} right)

Effet de la résistance série

Si V j V_j est la tension aux bornes de la jonction, on a :

I = I ph I s { exp [ q V j kT ] 1 } , V = V j R s I , I = I ph I s { exp [ q ( V + R s I ) kT ] 1 } , I = I_{ ph }- I_s left lbrace exp left[ {q V_j } over { kT} right ] -1 right rbrace, ~ V = V_j - R_s I, ~ I = I_{ ph }- I_s left lbrace exp left[ {q (V+ R_s I) } over { kT} right ] -1 right rbrace,

Les courbes ci-dessous montrent les effets de R s R_s sur le facteur de forme ( FF > 0,8 FF > 0,8 pour R s = 0 R_s = 0 et FF = 0,25 FF = 0,25 pour R s > 1 Ω R_s > 1 %OMEGA ). Pour R s = 0 R_s = 0 , il passe de 0.83 dans le Si ( 0,6 V ""approx 0,6 "V" ) à 0.87 dans le GaAs ( 0,9 V ""approx 0,9 "V" ) par exemple.